ISSI 的閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用。ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND產(chǎn)品為嵌入式市場補充了串行和并行NOR產(chǎn)品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND器件的密度分別為1Gb、2Gb和4Gb。SLC NAND閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用。…
ISSI 的閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用。
ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND產(chǎn)品為嵌入式市場補充了串行和并行NOR產(chǎn)品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND器件的密度分別為1Gb、2Gb和4Gb。
SLC NAND閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用。SLC 每個存儲單元存儲 1 位數(shù)據(jù)，并提供快速讀寫功能。這些產(chǎn)品適用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系統(tǒng)，并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。
產(chǎn)品：IS34ML04G168-BLI
類型:：NAND Flash
封裝/箱體:：VFBGA-63
存儲容量:：4 Gbit
接口類型:：Parallel
組織:：512 M x 8/256 M x 16
定時類型:：Asynchronous
數(shù)據(jù)總線寬度:：8 bit, 16 bit
電源電壓:：2.7 V 至 3.6 V
電源電流—最大值:：30 mA
工作溫度:：- 40°C 至 + 85°C
有源讀取電流（最大值）:：30 mA
特性：
供電電壓：
VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系列）
VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）
靈活的 x8 或 x16 選擇
均勻的高性價比塊
塊擦除時間：3 ms（典型值）
自動讀操作
硬件數(shù)據(jù)保護
100 K 編程/擦除周期
數(shù)據(jù)保持時間：10 年
支持每 512 字節(jié) 1 位或 4 位 ECC
工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 +85°C
擴展溫度范圍：-40°C 至 105°C
行業(yè)標準封裝：48 引腳 TSOP 和 63 引腳 (9 mm x 11 mm BGA)
相關(guān)產(chǎn)品：
IS34ML04G088-TLI
IS34ML04G088-BLI
IS34ML04G168-BLI
應用：
汽車信息娛樂
儀表組
ADAS
工業(yè)儀表
工業(yè)傳感器
M2M
POS 終端
智能計量
游戲機
打印機
數(shù)碼相機
數(shù)字電視
機頂盒
電話咨詢：86-755-83294757
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