此 N 溝道 NTMTS0D4N04CLTXG MOSFET 是使用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench 工藝生產(chǎn)的，該工藝結(jié)合了屏蔽門極技術(shù)。此工藝經(jīng)過了優(yōu)化，可最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)使用業(yè)內(nèi)最佳的軟體二極管來保持出色的開關(guān)性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：79.8A（Ta），553.8A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 0.4 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 250μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 341 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 20600 pF @ 20 V  

功率耗散（最大值）： 5W（Ta），244W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型：表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 8-DFNW（8.3x8.4）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

典型應(yīng)用

電動(dòng)工具、電池驅(qū)動(dòng)真空吸塵器

無人機(jī)/無人駕駛飛機(jī)、材料處理

BMS/ 存儲、家庭自動(dòng)化

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