NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET，以其優(yōu)異的性能和可靠性，成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設備等領域的理想選擇。

NIS5132MN4TXGHW 采用先進的溝槽柵工藝制造，具有以下突出特點：

低導通電阻: NIS5132MN4TXGHW 的導通電阻 (RDS(on)) 低至 3.2mΩ，能夠有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。

高開關速度: NIS5132MN4TXGHW 具有極低的柵極電荷 (Qg) 和輸出電荷 (Qoss)，能夠實現高速開關，降低開關損耗。

優(yōu)異的雪崩耐量: NIS5132MN4TXGHW 具有優(yōu)異的雪崩耐量，能夠承受高能量的雪崩擊穿，提高系統(tǒng)可靠性。

符合 RoHS 標準: NIS5132MN4TXGHW 符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

產品規(guī)格

寬輸入電壓范圍：支持 4.5V 至 28V 的輸入電壓

可調輸出電壓：輸出電壓可通過外部電阻設置

高效率：在額定負載下，效率可達到 90% 以上

過流保護：內置過流限制功能，確保電路安全

封裝類型：采用 SOP-8 封裝，適合緊湊型設計

工作溫度范圍：-40°C 至 85°C

PWM 調制支持：支持 PWM 模式，可實現精確的負載調節(jié)

NIS5132MN4TXGHW 應用領域廣泛

NIS5132MN4TXGHW 可廣泛應用于各種需要高效率、高可靠性的領域，例如：

工業(yè)控制: 電機驅動、電源轉換、逆變器等。

汽車電子: 電動助力轉向、電池管理系統(tǒng)、車載充電器等。

通信設備: 基站電源、服務器電源、網絡設備等。

消費電子: 筆記本電腦適配器、游戲機電源、液晶電視等。

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