NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4

型號：NVH4L050N170M1

封裝：TO-247-4

類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管

NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：

FET 類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1700 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：76 毫歐 @ 35A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2063 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：333W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

NVH4L050N170M1 產品特點：

18V 至 20V 柵極驅動

典型值 RDS(ON) = 53 m @ VGS = 20 V

超低柵極電荷 (QG(tot) = 105 nC)

高速開關，低電容（Coss = 98 pF）

100% 通過雪崩測試

全新 1700V M1 技術：53 毫歐 RDS(ON)，低 EON 和 EOFF 損耗

NVH4L050N170M1 應用：

反激式轉換器

車載充電器

用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC-DC 轉換器

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