UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，因此在與推薦的 RC 緩沖器配合使用時，非常適合開關電感負載以及任何需要標準柵極驅動的應用。

UF3C120040K3S 的特性

典型導通電阻 RDS(on)typ 為 35 mΩ

最高工作溫度為 175 °C

出色的反向恢復能力

低柵極電荷

低本征電容

ESD 保護，HBM 2 級

TO247-3 封裝，開關速度更快，柵極波形更純凈

該器件無鉛、無鹵素，符合 ROHS 規(guī)范

UF3C120040K3S 的典型應用

電動汽車充電

光伏逆變器

開關模式電源

功率因數校正模塊

電機驅動器

感應加熱

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