NTMTS0D6N04CTXG 這款 N 溝道 MV MOSFET 采用安森美半導體先進的功率溝道工藝生產，采用屏蔽門技術。

產品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：533A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 0.48 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 187 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 11800 pF @ 20 V  

功率耗散（最大值）： 5W  

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： 8-DFNW（8.3x8.4）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

應用

電機控制

直流-直流轉換器

電池管理/保護

電源轉向/負載開關

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。