PSMN2R5-60PLQ采用TrenchMOS技術(shù)的SOT78邏輯電平N溝道MOSFET。產(chǎn)品設(shè)計和制造已針對電池供電電動工具的使用進(jìn)行了優(yōu)化。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：150A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.6 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：223 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：349W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

基本產(chǎn)品編號：PSMN2R5

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