PSMN2R8-40YSDX 40V高性能MOSFET集成了Nexperia獨(dú)特的超級結(jié)技術(shù)。此器件提供低導(dǎo)通電阻，并具有高達(dá)380A的持續(xù)電流能力。非常適用于高性能同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無刷直流電機(jī)控制、電池保護(hù)、負(fù)載開關(guān)和eFuse

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：160A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.8 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4507 pF @ 20 V

FET 功能：肖特基二極管（體）

功率耗散（最大值）：147W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SC-100，SOT-669

基本產(chǎn)品編號：PSMN2R8

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