2ED2103S06F 是一款高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器，具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 LSTTL 輸出，邏輯電壓低至 3.3 V。輸出驅(qū)動器采用高脈沖電流緩沖級，旨在將驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)降至最低。浮動通道可用于驅(qū)動 N 溝道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或高壓側(cè)配置的 IGBT，其工作電壓最高可達(dá) 650 V。

產(chǎn)品屬性

驅(qū)動配置 半橋  

通道類型 獨(dú)立式  

驅(qū)動器數(shù) 2  

柵極類型 IGBT，N 溝道 MOSFET  

電壓 - 供電 10V ~ 20V  

邏輯電壓 - VIL，VIH 1.1V，1.7V  

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） CB，cCSAus，CE，CQC，TUV  

輸入類型 非反相  

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉） 650 V  

上升/下降時間（典型值） 70ns，35ns  

工作溫度 -40°C ~ 125°C（TA）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）  

供應(yīng)商器件封裝 PG-DSO-8-69 

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