IMZA75R140M1H是在英飛凌 20 多年來開發(fā)的固體硅坩堝技術基礎上制造的。利用寬帶隙 SiC 材料的特性，750VCoolSiC?MOSFET 是在英飛凌 20 多年來開發(fā)的固態(tài)硅坩堝技術基礎上建造的，在性能、可靠性和易熔性方面實現(xiàn)了獨特的組合。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：16A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：129 毫歐 @ 4.7A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 1.7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：351 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：86W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應用

固態(tài)繼電器 (SSR)

固態(tài)斷路器 (SSCB) 

電動汽車充電

光伏逆變器

儲能系統(tǒng)

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