AIMZHN120R120M1T憑借英飛凌的性能優(yōu)化芯片技術（Gen1p），SiC Mosfet 具有同類最佳的開關性能、對寄生開通的穩(wěn)健性以及改進的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本，使其成為車載充電器和 DCDC 應用的理想選擇。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 7A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 2.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：18 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：458 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：133W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-4-14

封裝/外殼：TO-247-4

應用

板載充電器

直流/直流轉換器

輔助驅動器

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