E4M0013120K是一款1200 V汽車用碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-4封裝。該MOSFET具有低開關(guān)損耗和高品質(zhì)因數(shù)。Wolfspeed  E系列MOSFET經(jīng)過優(yōu)化適用于EV汽車電池充電器和高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。這些MOSFET用于電機控制、傳動系牽引逆變器和光伏逆變器。

E4M0013120K的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：37 ns

Id-連續(xù)漏極電流：153 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

濕度敏感性：Yes

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-4

Pd-功率耗散：517 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：293 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：17 mOhms

上升時間：67 ns

系列：MOSFET

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：166 ns

典型接通延遲時間：12 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 19 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.8 V

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