集成電路芯片BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN N溝道MOSFET晶體管

產(chǎn)品介紹

BSZ060NE2LSATMA1是OptiMOS? 25V MOSFET晶體管，具有半橋配置（功率級(jí)5x6）。

規(guī)格

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個(gè)通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：25 V

Id - 連續(xù)漏極電流：40 A

Rds On - 漏極-源極電阻：6.5 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2 V

Qg - 柵極電荷： 9.1 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 150 C

Pd - 功率耗散：26 W

通道模式： 增強(qiáng)型

特點(diǎn)

極低的柵極和輸出電荷

極低的導(dǎo)通電阻和小的封裝尺寸

在所有的負(fù)載條件下，降低了功耗，提高了效率

通過(guò)減少多相轉(zhuǎn)換中的相數(shù)來(lái)節(jié)省整體系統(tǒng)成本

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。