SCT4045DEC11是一款有助于應用產品實現(xiàn)小型化和更低功耗的SiC MOSFET。

規(guī)格

產品種類:MOSFET

技術:SiC

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247N-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:750 V

Id-連續(xù)漏極電流:34 A

Rds On-漏源導通電阻:45 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 21 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.8 V

Qg-柵極電荷:63 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

通道模式:Enhancement

下降時間:12 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:28 ns

工廠包裝數(shù)量: 450

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關閉延遲時間:29 ns

典型接通延遲時間:5.8 ns

零件號別名:SCT4045DE

應用

太陽能逆變器

DC/DC轉換器

開關模式電源

感應加熱

電機驅動

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