集成電路芯片SCT3030KLGC11碳化硅單體MOSFET晶體管通孔

產(chǎn)品屬性

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.2 kV

Id - 連續(xù)漏極電流：72 A

Rds On - 漏極-源極電阻： 30 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 4 V，+ 22 V

Vgs th - 柵極源閾值電壓：2.7 V

Qg - 柵極電荷： 131 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 175 C

Pd - 功率耗散： 339 W

通道模式： 增強型

產(chǎn)品介紹

SCT3030KLGC11 MOSFET是在24V/36V/48V電源下工作的驅(qū)動應用的理想選擇。

特點

低導通電阻

高功率小型封裝

無鉛鍍層

符合RoHS標準

無鹵素

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