商品名稱:MOSFET晶體管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應用的需求而設計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 95% 的熱量從 PCB 上散發(fā)出去。
IPTC034N15NM6 的特點
非常低的 RDS (導通狀態(tài))
與OptiMOS? 5相比,F(xiàn)OMg降低20%
150V產(chǎn)品中行業(yè)最低的Qrr
與OptiMOS? 5相比,二極管軟度有所提升
Vgs(th)的偏差范圍為±500 mV
高雪崩耐受性
頂部散熱
高電流額定值
最大Tj為175°C,MSL1
IPTC034N15NM6的優(yōu)勢
低導通和開關(guān)損耗
改進的 EMI 下的穩(wěn)定運行
并聯(lián)時更好的電流共享
卓越的功率處理能力
增強的 robustness
改進的熱量散發(fā)
改進的系統(tǒng)可靠性
IPTC034N15NM6 的應用
輕型電動車輛解決方案
電動工具
能源存儲系統(tǒng)
光伏
電源轉(zhuǎn)換
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應用的需求而設計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點與 OptiMOS? 5 相IPTC017N10NM5LF2
IPTC017N10NM5LF2 是采用 TO-Leaded 頂部引腳封裝的頂級 OptiMOS? 5 線性 FET 2 100 V 器件。該器件在 25?C 時提供業(yè)界最低的 RDS(on) 和寬寬容度工作區(qū) (SOA)。 通過將 OptiMOS? 5 線性 FET 2 技術(shù)與 TOLT 封裝相結(jié)合,IPTC017N10NM5LF2 專為提供最高功率密度而設計,…電話咨詢:86-755-83294757
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