商品名稱:碳化硅MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG?LHSOF?4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提升的下一邏輯步驟。
IMTA65R026M2H 的特點
卓越的性能指標(FOM)
同類最佳的RDS(on)
高可靠性和整體質(zhì)量
靈活的驅(qū)動電壓范圍
支持單極驅(qū)動(VGS(off)=0)
與所有8x8 FET引腳兼容
改進的.XT封裝互連
TCoB提升4倍
IMTA65R026M2H的優(yōu)勢
實現(xiàn)物料清單(BOM)成本節(jié)約
最大化系統(tǒng)性能與成本效益
最高可靠性與更長使用壽命
實現(xiàn)最高效率與功率密度
更小占用空間實現(xiàn)更高功率密度
最緊湊的子卡設計
IMTA65R026M2H的應用領域
智能電視的完整系統(tǒng)解決方案
家用電器
微型逆變器解決方案
供暖通風與空調(diào)(HVAC)
電源轉(zhuǎn)換
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術,憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。ISC165N15NM6 的特點與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…IPTC017N10NM5LF2
IPTC017N10NM5LF2 是采用 TO-Leaded 頂部引腳封裝的頂級 OptiMOS? 5 線性 FET 2 100 V 器件。該器件在 25?C 時提供業(yè)界最低的 RDS(on) 和寬寬容度工作區(qū) (SOA)。 通過將 OptiMOS? 5 線性 FET 2 技術與 TOLT 封裝相結(jié)合,IPTC017N10NM5LF2 專為提供最高功率密度而設計,…電話咨詢:86-755-83294757
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