S25FL064LABNFM011是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。

FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令，用于傳送地址和在時鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁面編程緩沖區(qū)，允許在一個操作中編程達256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。

該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲解決方案。此外，該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數(shù)據(jù)。

特性

多I/O串行外設(shè)接口 (SPI)

時鐘極性和相位模式0和3

雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)選項

四外設(shè)接口(QPI)選項

擴展尋址：24位或32位地址選項

與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡

與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡

讀取

命令：正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O

模式：突發(fā)回環(huán)、連續(xù)(XIP)、QPI

串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)，用于配置信息

程序架構(gòu)

256字節(jié)頁編程緩沖器3.0V FL-L 閃存

程序暫停和恢復(fù)

擦除架構(gòu)

統(tǒng)一4KB扇區(qū)擦除

統(tǒng)一32KB半塊擦除

統(tǒng)一64KB塊擦除

芯片擦除

擦除暫停和恢復(fù)

100,000次程序擦除周期

數(shù)據(jù)保留20年

典型技術(shù)

65nm浮柵技術(shù)

安全特性

狀態(tài)和配置寄存器保護

四個256字節(jié)安全區(qū)域，均位于主閃存陣列外部

傳統(tǒng)塊保護：塊范圍

單個和區(qū)域保護

單個塊鎖定：易失性單個扇區(qū)/塊

指針區(qū)域：非易失性扇區(qū)/塊范圍

電源鎖定、密碼或永久保護安全區(qū)域2和3以及指針區(qū)域

單電源電壓，帶CMOS I/O：2.7V至3.6V

溫度范圍：符合汽車AEC-Q100標準1級（-40°C至+125°C）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。