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商品名稱(chēng):S25FL064LABNFA011
數(shù)據(jù)手冊(cè):S25FL064LABNFA011.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:WSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
S25FL064LABNFA011是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲(chǔ)器器件。
FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令,用于傳送地址和在時(shí)鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁(yè)面編程緩沖區(qū),允許在一個(gè)操作中編程達(dá)256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨(dú)4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個(gè)芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動(dòng)或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。
該閃存可為有限空間、信號(hào)連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲(chǔ)解決方案。此外,該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲(chǔ)可重新編程數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品屬性
存儲(chǔ)器類(lèi)型: 非易失
存儲(chǔ)器格式: 閃存
技術(shù):FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量: 64Mbit
存儲(chǔ)器組織: 8M x 8
存儲(chǔ)器接口: SPI - 四 I/O,QPI
時(shí)鐘頻率: 108 MHz
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類(lèi)型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 8-WFDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝: 8-WSON(5x6)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-24
3000
FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 24-BGA(8x6)
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線(xiàn)品牌,其他渠道均為原廠(chǎng)及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢(shì)在于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車(chē)級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無(wú)與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專(zhuān)為滿(mǎn)足高頻率和低頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競(jìng)爭(zhēng)的 150 V 市場(chǎng)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專(zhuān)為滿(mǎn)足高頻率和低頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過(guò)散熱片將高達(dá) 9…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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