IMW65R020M2H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)利用碳化硅的強大物理特性，增加了獨特的功能，從而提高了器件的性能、堅固性和易用性。 CoolSiC? MOSFET 650V 基于最先進的溝槽半導(dǎo)體制造，經(jīng)過優(yōu)化，可在應(yīng)用中實現(xiàn)最低損耗和最高運行可靠性。 這款 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，具有極高的性價比。

功能概述

● 低電容

● 優(yōu)化了大電流下的開關(guān)性能

● 換向穩(wěn)健的快速體二極管，反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 低

● 出色的柵極氧化物可靠性

● 優(yōu)異的熱性能

● 雪崩能力更強

● 可與標準驅(qū)動器配合使用

● 高性能、高可靠性和易用性

● 系統(tǒng)效率高

● 降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性

● 可縮小系統(tǒng)尺寸

● 適用于連續(xù)硬換向的拓撲結(jié)構(gòu)

● 適用于高溫和惡劣環(huán)境

● 支持雙向拓撲結(jié)構(gòu)

應(yīng)用

● 服務(wù)器

● 電信

● SMPS

● 太陽能系統(tǒng)

● 儲能和電池組件

● 不間斷電源

● 電動汽車充電

● 電機驅(qū)動

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