IMZA75R090M1HCoolSiC? MOSFET 技術(shù)利用碳化硅的強大物理特性，增加了獨特的功能，提高了器件的性能、堅固性和易用性。建立在最先進的溝槽半導體基礎(chǔ)上，經(jīng)過優(yōu)化，能夠在應用中實現(xiàn)最低損耗和最高運行可靠性。英飛凌的 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，降低了柵極電路上的寄生源電感效應，從而加快了開關(guān)速度并提高了效率。

功能概述

● 低電容

● 優(yōu)化了大電流下的開關(guān)性能

● 換向穩(wěn)健的快速體二極管，反向恢復電荷 (Qrr) 低

● 出色的柵極氧化物可靠性

● 優(yōu)異的熱性能

● 雪崩能力更強

● 可與標準驅(qū)動器配合使用

● 4 引腳封裝

應用

● 服務器

● 電信

● SMPS

● 太陽能系統(tǒng)

● 儲能和電池組件

● 不間斷電源

● 電動汽車充電

● 電機驅(qū)動

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