IPD50N10S3L16 100V、N-Ch、最大 15 mΩ、汽車 MOSFET、DPAK、OptiMOS?-T

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 50A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 15 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.4V @ 60μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 64 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4180 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 100W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-TO252-3-11  

封裝/外殼： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

特性

N 溝道 - 增強模式

通過汽車 AEC Q101 認證

MSL1 峰值回流溫度高達 260°C

175°C 工作溫度

綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 規(guī)范）

100% 通過雪崩測試

潛在應用

48V 逆變器

48V DC/DC

HID 照明

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