IRF7465TRPBF MOSFET 功率 MOSFET 系列采用成熟的硅工藝，為設計人員提供廣泛的器件組合，支持直流電機、逆變器、SMPS、照明、負載開關以及電池供電應用等各種應用。

產品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 150 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：1.9A（Ta）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 280 毫歐 @ 1.14A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.5V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 15 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±30V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 330 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： 8-SO  

封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

應用

高頻 DC-DC 轉換器

無鉛

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